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    三星量产100层V-NAND:主打企业级市场

    发表时间:2019-08-21 信息来源:www.leportico.com 浏览次数:1260

     

    三星电子宣布已开始生产100层V-NAND闪存,并计划在企业PC上使用它。三星表示,使用256Gb,3位(TLC)100层V-NAND闪存生产的固态硬盘已经开始供应给全球的PC制造商。由于100层V-NAND闪存单元只需要一次蚀刻,新产品可以兼顾速度,输出和能效,并在市场上占据领先地位。

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    国外媒体ZDNet报道称,三星已向未具名客户提供250GB容量的SATA接口固态硬盘。三星还计划在今年下半年增加产能,并使用单个512Gb,3位(TLC颗粒)V-NAND闪存来生产固态硬盘和eUFS产品,以满足各种规格的需求。

    三星表示,100层或第6代V-NAND闪存的写入延迟低至450微秒,读取响应时间为45微秒。与90层V-NAND闪存相比,100层V-NAND闪存不仅可以将性能提高10%,还可以将功耗降低15%。新工艺减少了生产步骤,减少了芯片尺寸,并将产量提高了20%。

    三星计划未来在移动和汽车领域部署新的V-NAND闪存,以巩固其在闪存市场的领导地位。鉴于内存业务的利润和需求急剧下降,预计公司第二季度的营业利润将比去年同期减少一半。这家韩国科技巨头警告称,在第二季度财报之前,其业绩仍存在不确定性,包括日本和韩国之间贸易摩擦导致的紧张局势。

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    本周早些时候,日本将韩国从其贸易伙伴的白名单中删除,并对上个月半导体制造业使用的关键材料实施贸易限制。尽管原材料受到限制,但三星不会太慌张,并决定在下半年继续投资生产。 SK海力士在韩国的领导层已下令公司制定应急计划。

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    [Tianji.com]三星电子宣布已开始生产100层V-NAND闪存,并计划在企业PC上使用它。三星表示,使用这种基于256G,3位(TLC)的100层V-NAND闪存生产的固态硬盘已经开始供应给全球PC制造商。通过单层蚀刻100层V-NAND闪存单元,新产品在速度,吞吐量和能效方面处于市场领先地位。

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    国外媒体ZDNet报道称,三星已向未具名客户提供250GB容量和SATA接口固态硬盘。三星还计划在今年下半年增加容量,并使用单个512Gb,3位(TLC颗粒)V-NAND闪存来生产固态硬盘和eUFS产品,以满足各种规格要求。

    三星表示,100代或6代V-NAND闪存的写入延迟低至450μs,读取响应时间为45μs。与90层V-NAND闪存相比,100层V-NAND闪存不仅性能提高了10%,而且功耗也降低了15%。新工艺减少了生产步骤,减少了芯片尺寸,并将产量提高了20%。

    三星计划在移动和汽车领域部署新的V-NAND闪存,以巩固其在闪存市场的领导地位。鉴于内存业务的利润和需求急剧下降,该公司第二季度的营业利润预计将比去年同期减少一半。这家韩国科技巨头警告说,在第二季度财报发布之前,该公司的业绩仍然存在不确定性,包括日本和韩国之间贸易摩擦引发的紧张局势。

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    本周早些时候,日本将韩国从其贸易伙伴的白名单中删除,并对上个月半导体制造业使用的关键材料实施贸易限制。尽管原材料受到限制,但三星不会太慌张,并决定在下半年继续投资生产。 SK海力士在韩国的领导层已下令公司制定应急计划。

    [Tianji.com]三星电子宣布已开始生产100层V-NAND闪存,并计划在企业PC上使用它。三星表示,使用这种基于256G,3位(TLC)的100层V-NAND闪存生产的固态硬盘已经开始供应给全球PC制造商。通过单层蚀刻100层V-NAND闪存单元,新产品在速度,吞吐量和能效方面处于市场领先地位。

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    国外媒体ZDNet报道称,三星已向未具名客户提供250GB容量和SATA接口固态硬盘。三星还计划在今年下半年增加容量,并使用单个512Gb,3位(TLC颗粒)V-NAND闪存来生产固态硬盘和eUFS产品,以满足各种规格要求。

    三星表示,100代或6代V-NAND闪存的写入延迟低至450μs,读取响应时间为45μs。与90层V-NAND闪存相比,100层V-NAND闪存不仅性能提高了10%,而且功耗也降低了15%。新工艺减少了生产步骤,减少了芯片尺寸,并将产量提高了20%。

    三星计划在移动和汽车领域部署新的V-NAND闪存,以巩固其在闪存市场的领导地位。鉴于内存业务的利润和需求急剧下降,该公司第二季度的营业利润预计将比去年同期减少一半。这家韩国科技巨头警告说,在第二季度财报发布之前,该公司的业绩仍然存在不确定性,包括日本和韩国之间贸易摩擦引发的紧张局势。

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    本周早些时候,日本将韩国从其贸易伙伴的白名单中删除,并对上个月半导体制造业使用的关键材料实施贸易限制。尽管原材料受到限制,但三星不会太慌张,并决定在下半年继续投资生产。 SK海力士在韩国的领导层已下令公司制定应急计划。

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    三星表示,100代或6代V-NAND闪存的写入延迟低至450μs,读取响应时间为45μs。与90层V-NAND闪存相比,100层V-NAND闪存不仅性能提高了10%,而且功耗也降低了15%。新工艺减少了生产步骤,减少了芯片尺寸,并将产量提高了20%。

    三星计划在移动和汽车领域部署新的V-NAND闪存,以巩固其在闪存市场的领导地位。鉴于内存业务的利润和需求急剧下降,该公司第二季度的营业利润预计将比去年同期减少一半。这家韩国科技巨头警告说,在第二季度财报发布之前,该公司的业绩仍然存在不确定性,包括日本和韩国之间贸易摩擦引发的紧张局势。

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    [Tianji.com]三星电子宣布已开始生产100层V-NAND闪存,并计划在企业PC上使用它。三星表示,使用这种基于256G,3位(TLC)的100层V-NAND闪存生产的固态硬盘已经开始供应给全球PC制造商。通过单层蚀刻100层V-NAND闪存单元,新产品在速度,吞吐量和能效方面处于市场领先地位。

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    国外媒体ZDNet报道称,三星已向未具名客户提供250GB容量和SATA接口固态硬盘。三星还计划在今年下半年增加容量,并使用单个512Gb,3位(TLC颗粒)V-NAND闪存来生产固态硬盘和eUFS产品,以满足各种规格要求。

    三星表示,100代或6代V-NAND闪存的写入延迟低至450μs,读取响应时间为45μs。与90层V-NAND闪存相比,100层V-NAND闪存不仅性能提高了10%,而且功耗也降低了15%。新工艺减少了生产步骤,减少了芯片尺寸,并将产量提高了20%。

    三星计划在移动和汽车领域部署新的V-NAND闪存,以巩固其在闪存市场的领导地位。鉴于内存业务的利润和需求急剧下降,该公司第二季度的营业利润预计将比去年同期减少一半。这家韩国科技巨头警告说,在第二季度财报发布之前,该公司的业绩仍然存在不确定性,包括日本和韩国之间贸易摩擦引发的紧张局势。

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    本周早些时候,日本将韩国从其贸易伙伴的白名单中删除,并对上个月半导体制造业使用的关键材料实施贸易限制。尽管原材料受到限制,但三星不会太慌张,并决定在下半年继续投资生产。 SK海力士在韩国的领导层已下令公司制定应急计划。

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